STP8NK100Z中文资料
STP8NK100Z图片
- 大小：294.7KB
- 厂家：STMicroelectronics
- 描述： MOSFET, N, 1000V, 6A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.3A; Drain Source Voltage Vds:1kV; On Resistance Rds(on):2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:6.5A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; On State resistance @ Vgs = 10V:2ohm; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:160W; Power Dissipation Ptot Max:160W; Pulse Current Idm:16A; SMD Marking:STP8NK100Z; Termination Type:...
- 其它有关文件：STP8NK100Z View All Specifications
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：SuperMESH™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.85 欧姆 @ 3.15A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：102nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2180pF @ 25V
- 功率 - 最大：160W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
- 其它名称：497-5021-5
STP8NK100Z供应商
更新时间:2023-01-31 03:46:48- 供应商
- 产品型号
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- 数量
- 厂商
- 封装/批号
- 说明
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STP8NK100Z
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奥利腾只做原装正品，实单价优可谈
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TO220/-
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ST代理订货型号,波光原装34年,请加QQ报价
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TO220/22+
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全新原装假一罚十
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TO220/19+
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原装现货特价
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原装现货特价
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TO220/23+
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