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STP8NK100Z中文资料

STP8NK100Z图片

STP8NK100Z外观图

  • 大小:294.7KB
  • 厂家:STMicroelectronics
  • 描述: MOSFET, N, 1000V, 6A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.3A; Drain Source Voltage Vds:1kV; On Resistance Rds(on):2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:6.5A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; On State resistance @ Vgs = 10V:2ohm; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:160W; Power Dissipation Ptot Max:160W; Pulse Current Idm:16A; SMD Marking:STP8NK100Z; Termination Type:...
  • 其它有关文件:STP8NK100Z View All Specifications
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:SuperMESH™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.85 欧姆 @ 3.15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:102nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2180pF @ 25V
  • 功率 - 最大:160W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:497-5021-5

STP8NK100Z供应商

更新时间:2023-01-31 03:46:48
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